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星在去年5月的三星鑄造論壇上宣布了一項5/4/3nm工藝技術(shù)。根據湯姆公司今天的硬件新聞，三星計劃最早在2021年開(kāi)始大規模生產(chǎn)3nm工藝芯片。此外，三星還表示，將在今年下半年開(kāi)始生產(chǎn)7nm的超視距芯片。去年，三星還表示，它將在2020年使用4納米砷化鎵場(chǎng)效應晶體管（gate all around fet）工藝。然而，一些業(yè)內人士，包括加納副總裁王國榮（Samuel Wang）對Gaafet芯片能

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